Pengaruh Lama Penumbuhan Titanium Dioksida Didoping Copper Terhadap Energi Gap

  Author(s)
Ade Usra Berli   
Dahyunir Dahlan
Akrajas Ali Umar

 ) Corresponding Author
Copyright (c) 1970 Ade Usra Berli, Dahyunir Dahlan, Akrajas Ali Umar
  Abstract

Deposisi lapisan TiO2 didoping Cu telah berhasil ditumbuhkan dengan menggunakan metoda Liquid Phase Deposition (LPD). Lapisan TiO2-Cu dibuat dengan menggunakan material Ammonium hexafluorotitanate ((NH4)2TiF6), Copper (II) Nitrate hydrate (Cu(NO3)xH2O), dan Hexamethylen tetramine (C6H12N4). Dalam penelitian ini dilakukan variasi lama penumbuhan lapisan yaitu 3 jam, 5 jam, 7 jam dan 10 jam. Lapisan TiO2-Cu dikarakterisasi menggunakan Spektrometri Ultraviolet-Visible (UV-Vis) untuk menentukan energi gap melalui spektra difusi reflektansi. Hasil energi gap yang diperoleh pada lapisan TiO2-Cu dengan variasi lama penumbuhan yaitu antara 3,26-3,30 eV.

Kata kunci: Titanium dioksida (TiO2), Liquid Phase Deposition (LPD) dan doping

 

  Click to Read the Full Text
PDF
StatisticsArticle Metrics

This article has been read : 695 times
PDF file viewed/downloaded : 276 times