Pengaruh Lama Penumbuhan Titanium Dioksida Didoping Copper Terhadap Energi Gap

Ade Usra Berli, Dahyunir Dahlan, Akrajas Ali Umar

Abstract


Deposisi lapisan TiO2 didoping Cu telah berhasil ditumbuhkan dengan menggunakan metoda Liquid Phase Deposition (LPD). Lapisan TiO2-Cu dibuat dengan menggunakan material Ammonium hexafluorotitanate ((NH4)2TiF6), Copper (II) Nitrate hydrate (Cu(NO3)xH2O), dan Hexamethylen tetramine (C6H12N4). Dalam penelitian ini dilakukan variasi lama penumbuhan lapisan yaitu 3 jam, 5 jam, 7 jam dan 10 jam. Lapisan TiO2-Cu dikarakterisasi menggunakan Spektrometri Ultraviolet-Visible (UV-Vis) untuk menentukan energi gap melalui spektra difusi reflektansi. Hasil energi gap yang diperoleh pada lapisan TiO2-Cu dengan variasi lama penumbuhan yaitu antara 3,26-3,30 eV.

Kata kunci: Titanium dioksida (TiO2), Liquid Phase Deposition (LPD) dan doping

 


Full Text:

PDF

Refbacks

  • There are currently no refbacks.

Comments on this article

View all comments


© Jurusan Ilmu Fisika Universitas Andalas